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采用HVPE法,通过改变Ⅴ/Ⅲ生长厚层GaN基片.分别采用X射线双晶衍射摇摆曲线、拉曼光谱及扫描探针显微镜进行生长晶体结晶质量和显微形貌分析.生长出表面光亮、无坑、无裂痕的60 μm以上厚层GaN基片,并简要介绍厚层GaN基片生长过程中Ⅴ/Ⅲ影响成核岛演变的规律.
HVPE生长厚层GaN基片Ⅴ/Ⅲ对结晶质量的影响
【摘 要】
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采用HVPE法,通过改变Ⅴ/Ⅲ生长厚层GaN基片.分别采用X射线双晶衍射摇摆曲线、拉曼光谱及扫描探针显微镜进行生长晶体结晶质量和显微形貌分析.生长出表面光亮、无坑、无裂痕的
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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江苏高校哲学社会科学重点研究基地基金资助成果,江苏省普通高校研究生科研创新计划项目《刑法教义学中主客观关系反思——以主观不法论为背景的考察》;
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