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离散谱折射率法优化设计深刻蚀、单模GaAs/GaAlAs脊形光波导
离散谱折射率法优化设计深刻蚀、单模GaAs/GaAlAs脊形光波导
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cc51wang
【摘 要】
:
采用离散谱折射率法对深刻蚀GaAs/GaAlAs多层脊形光波导的特性作了详细的理论分析,并对所获得的较大截面、低损耗的单模脊形光波导的制作容差性作了进一步的分析.计算表明,用离
【作 者】
:
马慧莲
杨建义
江晓清
王明华
【机 构】
:
浙江大学信息与电子工程学系,
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2004年期
【关键词】
:
离散谱折射率法
深刻蚀
GaAs/GaAlAs
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采用离散谱折射率法对深刻蚀GaAs/GaAlAs多层脊形光波导的特性作了详细的理论分析,并对所获得的较大截面、低损耗的单模脊形光波导的制作容差性作了进一步的分析.计算表明,用离散谱折射率法获得的单模脊形光波导具有较大的制作容差性.
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