【摘 要】
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为提高聚合物薄膜晶体管的稳定性,以单晶硅为衬底,二氧化硅为栅介质层,聚3-己基噻吩（P3HT）薄膜为半导体活性层,金属Au为源、漏电极,制备出聚合物薄膜晶体管（PTFT）,对该器件的电特
【机 构】
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华南理工大学电子与信息学院,华南理工大学高分子光电材料与器件研究所
【基金项目】
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广东省自然科学基金博士启动项目（8451064101000257）
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为提高聚合物薄膜晶体管的稳定性,以单晶硅为衬底,二氧化硅为栅介质层,聚3-己基噻吩（P3HT）薄膜为半导体活性层,金属Au为源、漏电极,制备出聚合物薄膜晶体管（PTFT）,对该器件的电特性进行了表征,研究了该器件在空气环境下的稳定性,并对该器件在空气中的不稳定性机理进行了讨论.结果表明：当器件暴露在空气中时,随着暴露时间的增加,器件的饱和漏电流明显增大,阈值电压逐渐增加;空气中的水是影响器件特性的主要因素;通过采用光刻胶钝化处理可以有效地改善P3HT-PTFT器件在空气中的稳定性,并使器件的载流子迁移率提
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