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针对金属-半导体-金属（MSM）光电探测器暗电流抑制的机理,本文提出了一种具有非对称面电极结构的硅基锗MSM光电探测器的设计方法,利用ATLAS仿真软件分析了电极结构参数对暗电流的影响,并通过实验得出样品器件的暗电流降低至微安量级。实验结果表明,采用非对称面电极结构设计可以有效抑制硅基锗MSM光电探测器的暗电流,提高器件性能。