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应用微核测定法研究了匀强磁场的致突变效应。结果表明:1.在0~5000G.S范围内,微核细胞率与照射剂量呈线性关系(r=0.9871823)。以最小二乘法进行回归分析,得到经验回归直线Y=2.81904762+0.00126571D。 2.在3000G.S时,在0~180分钟的范围内,微核细胞率与照射时间增长呈非线性关系。用多项式回归分析,得到经验多项或回归曲线Y=3.731464+1.751274t-0.1680962t2+0.002084t3+0.0001321t4 (r=0.9276326)。