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采用PECVD 法淀积的TiSi_2薄膜与硅衬底能形成良好的接触,其肖特基势垒高度经J-V 和C-V法测试得知,分别为0.65eV 和0.58eV.同时经测量得到了较理想的肖特基势垒二极管伏安特性曲线.
二硅化钛／硅的肖特基势垒研究
【摘 要】
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采用PECVD 法淀积的TiSi_2薄膜与硅衬底能形成良好的接触,其肖特基势垒高度经J-V 和C-V法测试得知,分别为0.65eV 和0.58eV.同时经测量得到了较理想的肖特基势垒二极管伏安特
【机 构】
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西安空军电讯工程学院,西安电子科技大学,西安电子科技大学
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1990年8期
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