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期刊论文
二硅化钛/硅的肖特基势垒研究
二硅化钛/硅的肖特基势垒研究
来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tsy99
【摘 要】
:
采用PECVD 法淀积的TiSi_2薄膜与硅衬底能形成良好的接触,其肖特基势垒高度经J-V 和C-V法测试得知,分别为0.65eV 和0.58eV.同时经测量得到了较理想的肖特基势垒二极管伏安特
【作 者】
:
杨林安
周南生
严北平
【机 构】
:
西安空军电讯工程学院,西安电子科技大学,西安电子科技大学
【出 处】
:
微电子学与计算机
【发表日期】
:
1990年8期
【关键词】
:
二硅化钛
肖特基势垒
Schottky Barrier
TiSi_2
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采用PECVD 法淀积的TiSi_2薄膜与硅衬底能形成良好的接触,其肖特基势垒高度经J-V 和C-V法测试得知,分别为0.65eV 和0.58eV.同时经测量得到了较理想的肖特基势垒二极管伏安特性曲线.
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