Preparation and characterization of GaN films grown on Ga-diffused Si （111） substrates

来源 :稀有金属：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：nihaoalinlin

【摘要】

：

Hexagonal GaN films were prepared by nitriding Ga2O3 films with flowing ammonia. Ga2O3 films were deposited on Ga-diffused Si (111) substrates by radio frequenc

【作者】

：

SUNZhencui CAOWentian WEIQinqi

【机构】

：

InstituteofPhysicsandElectronics,ShandongJiaotongUniversity,CollegeofElectricalandElectronicEngineer

【出处】

：

稀有金属：英文版

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

氮化镓薄膜无线电频率磁控管溅射三氧化二镓薄膜合成硅基镓薄膜生长 materials synthesis GaN films radio frequ

【基金项目】

：

Science Research Foundation of Shandong Jiaotong University，国家自然科学基金

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Hexagonal GaN films were prepared by nitriding Ga2O3 films with flowing ammonia. Ga2O3 films were deposited on Ga-diffused Si (111) substrates by radio frequency (r.f.) magnetron sputtering. This paper have investigated the change of structural properties

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