【摘 要】
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1963年在发现了GaAs中的耿效应的同时,也发现了InP中的耿效应。但是,由于当时材料技术的落后,导致InP耿效应二极管在其后没有什么进展。与此相反,GaAs耿二极管却取得了很大
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1963年在发现了GaAs中的耿效应的同时,也发现了InP中的耿效应。但是,由于当时材料技术的落后,导致InP耿效应二极管在其后没有什么进展。与此相反,GaAs耿二极管却取得了很大的发展。对发光二极管、肖特基二极管、变容二极管以至场效应晶体管和功能器件等的应用也都进行了研究,从而也建立起以第三种半导体面目出现的GaAs的地位。
In 1963 discovered Geng effect in GaAs at the same time, also discovered Gn effect in InP. However, due to the backward technology of materials at that time, no progress was made in the InP diode. In contrast, GaAs Geng diode has made great progress. The applications of light-emitting diodes, Schottky diodes, varactors and even field-effect transistors and functional devices have also been studied, thus establishing the status of GaAs in the third type of semiconductors.
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