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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布占位面积为1.6×1.6mm、高度小于0.8mm的新款8VP沟道TrenchFET 功率MOSFET SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一肖旨在1.2V下导通的此类器件。新款SiB437EDKT可用做智能手机、MP3播放器、便携式多媒体播放器、数码相机、电子书和平板电脑等手持设备中的负载开关。