【摘 要】
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本文综述了光化学气相沉积(Photo-CVD)法分解硅烷(SiH_4、Si_2H_6)制备非晶硅(a-Si)膜的简单原理、a-Si 膜的性质、a-Si 和微晶硅(μc-Si)太阳电池的光伏特性。也介绍了 a-Si
【机 构】
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中国科学院长春应用化学研究所,中国科学院长春应用化学研究所
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本文综述了光化学气相沉积(Photo-CVD)法分解硅烷(SiH_4、Si_2H_6)制备非晶硅(a-Si)膜的简单原理、a-Si 膜的性质、a-Si 和微晶硅(μc-Si)太阳电池的光伏特性。也介绍了 a-Si 和μc-Si 太阳电池制备技术和发展现状。并指出 Photo-CVD 法是制备高转换效率(η)太阳电池很有希望的一种方法。
In this paper, the simple principle of the photo-CVD decomposition of silane (SiH_4, Si_2H_6) for the preparation of a-Si films, the properties of a-Si films, the properties of a-Si films and μc- Si) photovoltaic characteristics of solar cells. Also introduced a-Si and μc-Si solar cell technology and development of the status quo. It is pointed out that the Photo-CVD method is a very promising method for preparing high conversion efficiency (η) solar cells.
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