【摘 要】
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采用添加了Al2O3和Y2O3助烧剂的碳化硅微粉为原料,通过放电等离子烧结(SPS)技术快速制备了碳化硅陶瓷.分析了材料致密化过程,并重点研究了烧结工艺参数对材料致密度和力学性
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采用添加了Al2O3和Y2O3助烧剂的碳化硅微粉为原料,通过放电等离子烧结(SPS)技术快速制备了碳化硅陶瓷.分析了材料致密化过程,并重点研究了烧结工艺参数对材料致密度和力学性能的影响规律.结果表明,当SPS工艺参数的烧结温度和压力分别为1600℃和50MPa时,经过5min的烧结,碳化硅陶瓷的致密度可达到99.1%,硬度为HV2550,断裂韧性达8.34MPa.m1/2,弯曲强度达684MPa.
The silicon carbide ceramics were prepared rapidly by the spark plasma sintering (SPS) technique using silicon carbide powder with Al2O3 and Y2O3 sintering aids as raw materials, the process of material densification was analyzed, and the influence of sintering parameters on the density and Mechanical properties.The results show that when SPS sintering temperature and pressure are 1600 ℃ and 50MPa respectively, the density of silicon carbide ceramics reaches 99.1% after 5min sintering, the hardness is HV2550 and the fracture toughness reaches 8.34 MPa.m1 / 2, bending strength of 684MPa.
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