用前线电子理论对掺杂法提高L—B膜导电性的讨论

来源 :东南大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Mr__x007

【摘要】

：

利用掺杂对L-B膜进行处理以提高其室温电导率的工作早有报道,我们对CuTsPc L-B膜进行了室温下在氯苯碘溶液中浸泡的实验,也发现室温电导率有很大提高。本文提出用福井的前线

【作者】

：

吴宗汉黄福元唐金花丁志峰

【机构】

：

东南大学物理系,东南大学物理系,南京电子器件研究所,东南大学化学化工系

【出处】

：

东南大学学报

【发表日期】

：

1993年3期

【关键词】

：

前线电子掺杂 LB膜导电性 superconducting films conductivity CuTsPc dopant fronter ele

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利用掺杂对L-B膜进行处理以提高其室温电导率的工作早有报道,我们对CuTsPc L-B膜进行了室温下在氯苯碘溶液中浸泡的实验,也发现室温电导率有很大提高。本文提出用福井的前线电子理论结合对材料结晶的群论分析可以有效地解释掺杂后L-B膜导电特性的机理。前线电子理论即指在分子中有一系列能级从低到高排列的分子轨道,电子只填充了其中能量较低的一部分。已填电子的能量最高轨道称为最高占据轨道(HOMO),其上电子是最活跃的电子;能量最低的空轨道称为最低空轨道(LUMO),该轨道是

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