【摘 要】
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在玻璃/Mo衬底上采用恒电流顺序电沉积cu—zn金属预制层,后续在SnSex(x=1,2)气氛较低硒压条件下硒化制备CZTSe薄膜。SnSex(x=1,2)分压由sn源温度控制,se分压由se源温度控制,Se源及样品
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室、光电信息技术科学教育部重点实验室,华南理工大学机械与汽车工程学院、表面功能结构先进制造广东普通高校重点实验室,广东省阳江市汉能
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在玻璃/Mo衬底上采用恒电流顺序电沉积cu—zn金属预制层,后续在SnSex(x=1,2)气氛较低硒压条件下硒化制备CZTSe薄膜。SnSex(x=1,2)分压由sn源温度控制,se分压由se源温度控制,Se源及样品温度分别为270℃和570oC。采用3种不同的硒化处理工艺对金属预制层进行硒化处理。通过SEM及EDS表征CZTSe薄膜的结构、形貌及成分。综合SEM及EDS测试结果,确定CZTSe和Mo界面处MoSex相很薄。实验发现较低SnSex(x=1,2)气氛条件下可实现高温低se压硒化CuZn预制层
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