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采用射频磁控溅射技术生长ZnO：Al（ZAO）薄膜，用x射线衍射仪检测薄膜的结晶质量。为了提高薄膜的生长效率，进行了在生长过程中调整生长参数的试验。结果发现，生长过程中适当地改变参数，不仅可以提高薄膜的生长效率，还可以获得结晶质量更好的薄膜。在工作压强0．35Pa、溅射功率120W条件下粗生长后，改变工作压强为0．2Pa、溅射功率80W进行细生长，制得的薄膜平均可见光透射率为88％，电阻率为7．8×10^-4Ω·cm。