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利用脉冲激光沉积法（PLD）制备了Ga掺杂的Zn0.9Mg0.1O（ZMO：Ga）宽带隙透明导电薄膜．采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响．结果表明，制备的薄膜具有ZnO（002）择优取向；200℃下沉积的薄膜通过3×10^-3Pa的真空400℃退火2h后，其电阻率由8．12×10^-4Ω·cm减小到4．74×10^-4Ω·cm，禁带宽度则由原来的3．83eV增加到3．90eV．退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶