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用MBE方法制备的PHEMT微结构材料,其2DEG浓度随材料结构的不同在2.0-4.0×10^12cm^-2之间,室温霍耳迁移率在5000-6500cm^2·V^-1·s^-1之间,制备在PHEMT器件,栅长为0.7μm的器件的直流特性:Idss~280mA/mm,Imax~520-580mA/mm,gm~320-400mS/MM,BVDS〉15V(IDS=1mA/mm),BVGS〉10V,微波特