【摘 要】
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为了实现模拟集成电路版图设计的自动化,提出一种称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管阵列的版图布局方法。90nm/1.2V互补式MOS的测试元件组(TEG)芯片被开发用以实验采样,芯
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(61704049,61804046);2014年教育部留学回国人员科研基金项目(第49批);河南省科技厅重点攻关基金项目(72102210258)
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为了实现模拟集成电路版图设计的自动化,提出一种称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管阵列的版图布局方法。90nm/1.2V互补式MOS的测试元件组(TEG)芯片被开发用以实验采样,芯片搭载多种导电沟道分割形式的多指栅晶体管,晶体管在电路的版图设计中以不同的布局形态呈现。这些晶体管的电气参数被测试并抽取,用以分析和评价其直流性能。以二级模拟运算放大器为实验电路,分别采用晶体管阵列和全定制方式进行版图设计,从工艺波动性和版图面积两方面进行对比。成品实测结果表明:以晶体管阵列方式实现共源共栅运放电路时,10枚TE
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