【摘 要】
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对不同结面积和周长的正照射台面型InGaAs光伏探测器(λc=2.4μm)的性能进行了对比分析,得到了探测器的暗电流、噪声、响应信号以及优值因子(RoA)等性能参数与器件的台面面积
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院研究生院,
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对不同结面积和周长的正照射台面型InGaAs光伏探测器(λc=2.4μm)的性能进行了对比分析,得到了探测器的暗电流、噪声、响应信号以及优值因子(RoA)等性能参数与器件的台面面积、光敏感区面积、周长以及形状等设计参数的关系,其中台面面积的大小是影响台面型InGaAs光伏探测器p+-n--n+结结区特性的主要因素之一。
The performance of positive-illuminated InGaAs photovoltaic detector with different junction area and perimeter (λc = 2.4μm) was compared and analyzed. The dark current, noise, response signal and RoA of the detector were obtained The relationship between parameters and design parameters of the device such as mesa area, light sensitive area, perimeter and shape, etc. The size of the mesa area is one of the main factors affecting the junction characteristics of the pn-nn + junction of InGaAs photodetectors .
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