【摘 要】
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本文论述了在ＩｎＰ衬底上用ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ和／或ＩｎＡｌＡｓ构成的异质结双极晶体管的现状及展望。着重强调了超高电子速度的重要性。阐述了自对准制造技术，提出了适于微波功率应用的宽禁带集电区器件和适于
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本文论述了在ＩｎＰ衬底上用ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ和／或ＩｎＡｌＡｓ构成的异质结双极晶体管的现状及展望。着重强调了超高电子速度的重要性。阐述了自对准制造技术，提出了适于微波功率应用的宽禁带集电区器件和适于数字应用的低开启电压Ｖ＿ｂｅ器件。用这些器件构成的分频器可工作到１７ＧＨｚ。
This article discusses the status and prospects of heterojunction bipolar transistors made of InP, InGaAs and / or InAlAs on InP substrates. Emphasize the importance of ultra-fast electronics. The self-aligned manufacturing technique is described. A wide bandgap current collecting device suitable for microwave power application and a low turn-on voltage Vbe device suitable for digital applications are proposed. The frequency divider that these devices make can work to 17GHz.
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