GaAs材料中EPR"As_Ga"缺陷的本性

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【摘要】

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本文根据EPR基本理论和量子化学的一些计算结果,并对照中子辐照GaAs样品中EPR“As_(Ga)”谱线形状随退火温度变化的实验结果,认为为了揭示EPR“As_(Ga)”缺陷本性必须考虑包

【作者】

：

汪光裕冯平义邹元爔曾繁安

【机构】

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中国科学院上海冶金所,中国科学院原子核所

【出处】

：

电子学报

【发表日期】

：

1989年1期

【关键词】

：

GAAS ASGA EPR 缺陷

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本文根据EPR基本理论和量子化学的一些计算结果,并对照中子辐照GaAs样品中EPR“As_(Ga)”谱线形状随退火温度变化的实验结果,认为为了揭示EPR“As_(Ga)”缺陷本性必须考虑包括As_(Ga)周围多层配位原子在内的基体磁性核对于未成对电子的超精细(hf)相互作用。更进一步,本文还讨论了空位对EPR“As_(Ga)”谱线宽度和一级hf常数等影响,从而首次明确指出GaAs中EPR“As_(Ga)”可鉴别为As_(Ga)及其有关空位络合物。

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