【摘 要】
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成功地研制了７５６（Ｈ）×５８１（Ｖ）元内线转移ＣＣＤ摄像器件。该器件采用三相结构，埋沟和四层多晶硅技术。文章详细介绍了该器件的工作原理、设计考虑和制作技术。
Successfully developed a 756 (H)
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成功地研制了７５６（Ｈ）×５８１（Ｖ）元内线转移ＣＣＤ摄像器件。该器件采用三相结构，埋沟和四层多晶硅技术。文章详细介绍了该器件的工作原理、设计考虑和制作技术。
Successfully developed a 756 (H) × 581 (V) yuan inside transfer CCD camera device. The device uses a three-phase structure, buried ditch and four-layer polysilicon technology. The article details the device’s working principle, design considerations and production techniques.
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