论文部分内容阅读
采用矢量场模型，对具有诱人应用前景的圆柱形垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的模式阈值增益进行了数值模拟；为减弱金属圆柱的反射以使理论计算更接近实际，采用两种方案，将外加金属包壳视为非理想导体，或在此基础上，将金属包壳与激光器主体结构隔开．从模式的阈值增益与顶Bragg反射镜层周期数的关系方面，与理想金属外包壳情况进行了比较．结果表明，高阶贝塞耳函数模式的闽值增益变化规律基本相同，而0阶贝塞耳函数模式的阈值增益变化规律相差较大．