Al:Ti合金栅a-Si TFT研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tianstone
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本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a-SiTFT中的应用.所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6.6μΩ·cm,与纯铝的相近.Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强,有效地抑制了小丘(Hillock)的产生和阳极氧化时的被腐蚀现象.采用Al∶Ti合金栅和Al2O3/SiNx双层绝缘层的a-SiTFT有着与采用Ta栅和单层SiNx绝缘层的a-SiTFT相近的I-V参数,但前者稳定性明显提高.经+10V栅偏压处理1小时,未见VT漂移.这种双层冗余技术还能有效提高成品率. This paper reports a low resistance and high chemical stability of Al: Ti alloy preparation and its application in a-SiTFT. The obtained Al: Ti alloy electrode material resistivity of up to 6.6μΩ · cm, similar to pure aluminum. The addition of Ti makes the Al: Ti alloy inert and inhibits Hillock formation and corrosion during anodization. The a-Si TFTs with Al: Ti alloy gate and Al2O3 / SiNx double-layer insulation have similar I-V parameters to a-SiTFT with Ta gate and single SiNx insulation, but the stability of the former is significantly improved. After +10 V gate bias for 1 hour, no VT drift. This double-layer redundancy technology can also effectively improve the yield.
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