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AlGaN基光电探测器在军事高科技和民品市场通讯和成像方面具有很高的价值.分析了AlGaN p-i-n光电探测器的结构对性能的影响,深入阐述了AlGaN p-i-n光电探测器制造与设计中所面临的深层次问题,并对其工艺和结构性能分析的基础上特别介绍了p-GaN/i-AlGaN/n-GaN结构,并对其结构进行了改进,得到了改进的SLS/AlGaN/GaN结构.