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研究了混晶材料GaAs1-xPx:N(x=0.76,0.65)中的共振喇曼散射,在背散射配置的(100)晶向观察到“禁戒”的TO声子散射模,这一实验现象解释为在共振激发Nx杂质带的条件下,由于晶体对称性的喇曼选择定则失效,TO模成为喇曼活性,根据热猝灭规律,还给出区分共振喇曼散射和热荧光的一个实用判据。