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随着半导体制造业的工艺进步,线宽尺寸的不断减小,对表面覆膜硅片清洗的质量要求也变得越来越严格.当前这类清洗涵盖了从硅片表面有效地去除深亚微米颗粒(<100 nm)和将金属杂质数量控制在1E+10(原子)个/cm2以下这两项要求.传统的洗刷机(Scrubber)清洗方式及兆声波缸槽式湿法清洗工艺正面临这些新的不断深化的工艺技术要求的挑战.根据最新<国际半导体技术指南(ITRS)>对提高硅片表面加工水平和深亚微米颗粒去除能力要求,论证了能同时实现上述目标的清洗方法.这个方法采用以传统缸槽整批