论文部分内容阅读
本文基于汉明码EDAC算法提出了一种现场可编程门阵列(FPGA)嵌入式多位宽SRAM(BRAM)抗辐射加固方法。通过开发FPGA程序,利用FPGA资源配置编解码电路,简化了BRAM的内部结构,从而使芯片面积、成本降低;利用状态机进行数据容错处理,提高了系统可靠性。通过上述方法解决了在复杂空间环境下,多位宽BRAM不易加固的技术问题。本方法已成功应用于中电科五十八所某款FPGA中。经测试表明:根据配置实现了8bit、16bit、32bit位宽数据抗辐照加固,且BRAM抗单粒子翻转阈值达到37MeV.cm^(