【摘 要】
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β-Ga2O3 作为宽禁带半导体材料, 以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注。基于本研究团队在如何制备 β-Ga2O3 单晶及如何通过掺杂五族离子实现对 β-Ga2O3 单晶电学性质及光学性质的调控两个重要课题上的深入研究, 对 β-Ga2O3 单晶的制备方法、Ta5 与 Nb5 掺杂 β-Ga2O3 单晶的电学性质及光学性质进行了综述。
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光材料重点实验室,上海201800中国科学院大学,北京100049
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β-Ga2O3 作为宽禁带半导体材料, 以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注。基于本研究团队在如何制备 β-Ga2O3 单晶及如何通过掺杂五族离子实现对 β-Ga2O3 单晶电学性质及光学性质的调控两个重要课题上的深入研究, 对 β-Ga2O3 单晶的制备方法、Ta5 与 Nb5 掺杂 β-Ga2O3 单晶的电学性质及光学性质进行了综述。
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