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绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)是一种新型的电力电子器件,它综合了MOSFET和BJT两者的优点,具有近似最优的电力电子器件特性,一方面IGBT具有MOS栅极结构,有高的输入阻抗,为电压控制型器件,简化了驱动和控制电路的设计;另一方面IGBT具有BJT的电导调制效应,具有通过大电流的能力,使得IGBT能够广泛地应用于中大功率的应用领域。