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MOSFET的1/f~α噪声与器件的尺寸、偏置电压、工作环境温度、电应力老化、辐射影响等有关。本文分析了MOSFE的1/f~(?)噪声随上述因素变化的规律特点,根据这些变化特点,文中给出了MOS电路低噪声设计和应用的一些基本原则,同时讨论了单只MOS器件的噪声测量方法,供实际工作者选用器件及设计工作条件时参考利用。