【摘 要】
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利用固源分子柬外延（SSMBE）生长技术,在不同的硅碳蒸发速率比（Si/C）条件下,在Si（111）衬底上生长SiC单晶薄膜.利用反射式高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和傅立叶
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室
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利用固源分子柬外延（SSMBE）生长技术,在不同的硅碳蒸发速率比（Si/C）条件下,在Si（111）衬底上生长SiC单晶薄膜.利用反射式高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和傅立叶变换红外光谱（FTIR）等实验技术,对生长的样品形貌和结构进行了研究.结果表明,在Si/C比（1.1：1.0）下生长的薄膜样品,XRDω扫描得到半高宽为2.1°;RHEED结果表明薄膜具有微弱的衍射环,有孪晶斑点.在Si/C比（2.3：1.0）下生长的薄膜,XRDω扫描得到的半高宽为
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