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用SoI—Gel法制备出表面致密，界面清晰的BST铁电薄膜。分析了BST薄膜的J-V特性，由于使用了不同的上下电极，导致J—V曲线的不对称，且在外延生长的Pt电极上制备的BST薄膜有较低的漏电流。分别在大气和干燥气氛下测量了BST薄膜的介电特性，分析结果表明：湿度对BST薄膜的介电特性有很大的影响,为了得到正确的介电特性，其测量必须在真空或干燥气氛下进行。