【摘 要】
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研究了脉冲磁场参数和冷却条件对Mg2Si/Al复合材料中初生Mg2Si相尺寸、形态及分布的影响.结果表明,在脉冲磁场作用下,初生Mg2Si相表现为粗化、偏聚及梯度分布.在多数试验条件
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研究了脉冲磁场参数和冷却条件对Mg2Si/Al复合材料中初生Mg2Si相尺寸、形态及分布的影响.结果表明,在脉冲磁场作用下,初生Mg2Si相表现为粗化、偏聚及梯度分布.在多数试验条件下,初生Mg2Si相沿试样心部到边部体积分数总体上逐渐增加,可制备初生Mg2Si相呈连续变化的梯度材料;当脉冲电压为100 V,脉冲频率为10 Hz或模具温度为400℃时,试样中心区域基本不含初生Mg2Si相,Mg2Si相主要分布在试样边部,可制备表面增强自生梯度复合材料.在0～300 V范围内,随着脉冲电压增加,初生Mg2Si相的尺寸先增大后减小,转折点为200 V;当浇注温度在670～760℃范围内或模具温度在200～600℃范围内,随着浇注温度的增加或模具温度的降低,初生Mg2Si相的尺寸逐渐减小.
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