【摘 要】
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采用共沉淀法合成Y2.78-xSrxGd0.1Al5O12∶0.06Ce3＋系列荧光粉,用X射线衍射仪、荧光分光光度计对粉体晶型、发光性能进行表征。采用HSP-6000光谱分析仪,测荧光粉与InGaN/GaN芯
【机 构】
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四川大学材料科学与工程学院,重庆文理学院材料交叉学科研究中心
【基金项目】
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重庆市科学技术基金（CSTC 2009AB4171）, 重庆市高校新材料开发及应用研究创新团队（201042）资助项目
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采用共沉淀法合成Y2.78-xSrxGd0.1Al5O12∶0.06Ce3＋系列荧光粉,用X射线衍射仪、荧光分光光度计对粉体晶型、发光性能进行表征。采用HSP-6000光谱分析仪,测荧光粉与InGaN/GaN芯片配合所得白光的色温。结果表明,Sr2＋对其波长和发光强度有显著影响：波长随着x的增大先红移,然后发生微弱蓝移。当x〈0.05时,发光强度几乎不变;x在0.05～0.1之间时,发光强度减弱缓慢;x〉0.1时,发光强度迅速减弱。随着波长和发光强度的变化,色温先降低后升高。当x〉0.2时出现杂相A,对荧
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