碲镉汞表面纯化膜界面电学特性研究

来源 :光学精密工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：760904

【摘要】

：

利用ＭＩＳ结构，在国内首次研究了新型热蒸发ＣｄＴｅ／ＺｎＳ复合钝化膜与碲镉汞之间的界面电学特性。发现ＧｄＴｅ／ＺｎＳ双层膜在适当工艺条件下，固定电荷密度为－４×１０＾１０ｃｍ＾－２，慢态密度为５．１×１０＾１０ｃｍ＾－２，快态密度为２．７×１０＾１１ｃｍ＾－２ｅＶ＾－１。以上参数

【作者】

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张新昌王戎兴

【机构】

：

中国科学院上海技术物理研究所

【出处】

：

光学精密工程

【发表日期】

：

1996年5期

【关键词】

：

HGCDTE 钝化膜界面电学特性红外材料

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利用ＭＩＳ结构，在国内首次研究了新型热蒸发ＣｄＴｅ／ＺｎＳ复合钝化膜与碲镉汞之间的界面电学特性。发现ＧｄＴｅ／ＺｎＳ双层膜在适当工艺条件下，固定电荷密度为－４×１０＾１０ｃｍ＾－２，慢态密度为５．１×１０＾１０ｃｍ＾－２，快态密度为２．７×１０＾１１ｃｍ＾－２ｅＶ＾－１。以上参数优于目前光伏器件采用的单层ＺｎＳ钝化膜，说明ＣｄＴｅ／ＺｎＳ复合膜是光伏器件的优良钝化膜。同时也研究了其它两种钝化膜，单

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