【摘 要】
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碳化硅陶瓷因自身优良的物理化学性能而具有广泛的应用前景。碳化硅的化学键结合特性决定了其难以烧结成型,因此如何制备高质量碳化硅陶瓷是领域内的难点之一。本研究以三元
【机 构】
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中国科学院宁波材料技术与工程研究所先进能源材料工程实验室（筹）,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(21671195,51902320)
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碳化硅陶瓷因自身优良的物理化学性能而具有广泛的应用前景。碳化硅的化学键结合特性决定了其难以烧结成型,因此如何制备高质量碳化硅陶瓷是领域内的难点之一。本研究以三元稀土碳化物Dy3Si2C2作为新型SiC陶瓷的烧结助剂,依据Dy-Si-C体系的高温相转变原位促进碳化硅的烧结致密化。采用放电等离子烧结技术,利用金属Dy与SiC反应生成Dy3Si2C2,对Dy3Si2C2包裹的SiC粉体进行烧结。在1800℃、45 MPa的烧结条件下,得到了致密度为99%、热导率为162.8 W·m^–1·K
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