论文部分内容阅读
对铜基体上真空等离子体喷涂1mm的钨涂层进行了分析研究，主要包括微观结构、热力学属性以及成分分析。结果显示，钨涂层气孔率仅为7．6％，室温热导率达到79．7W／（m·K），W／Cu结构界面结合强度高达45MPa，这些结果对钨作为聚变装置面对等离子体材料的应用是令人鼓舞的。涂层材料的出气性能也是面对等离子材料的一个重要指标，钨涂层出气气体种类主要是氢气和水蒸气。而且在300℃经过4h高温烘烤后出气率大幅度降低，更长时间的烘烤则对出气率影响不是太明显。因此可以看出钨涂层作为聚变装置面对等离子体材料的