论文部分内容阅读
利用电子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)和电子束诱生电流(electron beam induced current,EBIC)技术对铸造多晶硅的晶界类型和晶界复合特性进行了研究.EBSD分析显示铸造多晶硅中的大部分晶界为大角度晶界(θt>10°),且以特殊晶界∑3和普通晶界为主,同时还存在少量小角度晶界(θt>10°).EBIC观察发现洁净晶界(包括大角度和小角度晶界)在300K下的复合能力很弱,晶界类型对其复合特性没有明