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利用电子背散射衍射（electron back-scattered diffraction,EBSD）和电子束诱生电流（electron beam induced current,EBIC）技术对铸造多晶硅的晶界类型和晶界复合特性进行了研究.EBSD分析显示铸造多晶硅中的大部分晶界为大角度晶界（θt＞10°）,且以特殊晶界∑3和普通晶界为主,同时还存在少量小角度晶界（θt＞10°）.EBIC观察发现洁净晶界（包括大角度和小角度晶界）在300K下的复合能力很弱,晶界类型对其复合特性没有明