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采用一种新型的被动调Q饱和吸收体，低温生长GaAs薄膜，实现了半导体抽运Nd：YVO4激光器的调Q运转，研究了激光器的调Q特性，调Q抽运阈值为2W，在抽运功率9．2W时，获得的最短脉冲半峰全宽为15ns，最大单脉冲能量为4．84μJ，最高峰值功率为330W，最大平均输出功率为1．16W；脉冲重复频率在220kHz到360kHz之间。