【摘 要】
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为了精确的测量超大规模集成电路芯片表面的温度,监控电路工作状态和进行过热保护,采用一种新型CMOS片上温度传感器结构。首先利用两个衬底PNP管的基-射电压差ΔVBE的PTAT特
【机 构】
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华南理工大学电子与信息学院,广州润芯信息技术有限公司
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为了精确的测量超大规模集成电路芯片表面的温度,监控电路工作状态和进行过热保护,采用一种新型CMOS片上温度传感器结构。首先利用两个衬底PNP管的基-射电压差ΔVBE的PTAT特性来感测温度,然后利用偏置电路镜像过来的PTAT电流来控制一个三阶的环型振荡器,产生频率与温度成正比的振荡信号,再利用测频电路转化为8位数字。利用0.13μm CMOS工艺设计,版图面积仅为0.02 mm2。功耗为0.3μW(100 sample/S)。后版图仿真结果显示,在-60℃到160℃温度范围内的测量精度为±3.5℃(校准后)。该电路具有低功耗、高精度和芯片面积小等优点。该电路将用于WiMAX/LTE收发信机芯片上,对芯片表面温度进行监控。
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