【摘 要】
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介绍了一种新型长波长InP基一镜斜置三镜腔型(OMITMiC)光电探测器,并对其进行了数值模拟。介绍了该光电探测器的两项关键制备工艺。首先,利用动态掩膜湿法腐蚀技术,通过调节H
【机 构】
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北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京邮电大学光通
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介绍了一种新型长波长InP基一镜斜置三镜腔型(OMITMiC)光电探测器,并对其进行了数值模拟。介绍了该光电探测器的两项关键制备工艺。首先,利用动态掩膜湿法腐蚀技术,通过调节HCl∶HF∶CrO3腐蚀溶液的选择比,在与InP晶格匹配的In0.72Ga0.28As0.6P0.4外延层上制备出了不同倾角的楔形结构。其次,利用选择性湿法腐蚀技术,通过FeCl3∶H2O溶液对In0.53Ga0.47As牺牲层的腐蚀,制备出了具有InP/空气隙的高反射率分布式布拉格反射镜(DBR)。
A new type of long wavelength InP - based mirror - mirror three - mirror (OMITMiC) photodetector is introduced and numerically simulated. The two key preparation techniques of this photodetector are introduced. First of all, by using the dynamic mask wet etching technique, wedges with different dip angles were prepared on the In0.72Ga0.28As0.6P0.4 epitaxial layer lattice-matched with InP by adjusting the selectivity of HCl: HF: CrO3 solution structure. Secondly, a high reflectance distributed Bragg reflector (DBR) with InP / air gap was prepared by selective wet etching using the FeCl3: H2O solution to etch the In0.53Ga0.47As sacrificial layer.
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