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优化设计了1.55μmInGaAsP/InGaAsP张应变量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的结构，利用K·P方法计算了多量子阱的价带结构，计算中考虑了6×6有效质量哈密顿量，从阱宽，应变、注入载流子密度等方面计算了量子阱模式增益的偏振相关性。
1.55μm张应变InGaAsP／InGaAsP量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的优化设计
【摘 要】
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优化设计了1.55μmInGaAsP/InGaAsP张应变量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的结构，利用K·P方法计算了多量子阱的价带结构，计算中考虑了6×6有效质量哈密顿量，从阱宽，应变
【机 构】
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中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,厦门大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年1期
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