【摘 要】
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本文提出了High-lowmulti-frequency（HLMF）和Average bottom-top-pulse（ABTP）两种电荷泵改进技术,用于提高表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷的精度。结果表明,在电荷泵技术测量过
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海宏力半导体制造有限公司
【基金项目】
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Shanghai Postdoctoral Scientific Program （Grant No. 06R214210）.AcknowledgmentsThis work is supported by the Shanghai Postdoctoral Scientific Program （Grant No. 06R214210）.
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本文提出了High-lowmulti-frequency（HLMF）和Average bottom-top-pulse（ABTP）两种电荷泵改进技术,用于提高表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷的精度。结果表明,在电荷泵技术测量过程中,这两种改进技术能非常有效地扣除漏电流。同时,也分析了电荷泵电流曲线的几个典型特性。由于ABTP技术是用静态模式测量漏电流,所以,在大的负Vbase端,电荷泵电流曲线的尾部出现大的波动。通过比较,我们发现HLMF具有更高的精度,可以作为用于提升表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷
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