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<正> 体硅CMOS技术已经发展了25年以上,成为VLSI的主流技术,通过不断缩小器件尺寸CMOS VLSI的集成度已增长了6个数量级,电路性能也不断提高。现在,0.1gm(100nm)以下的CMOS器件已开始从实验室走入生产线,已有文献报导研制出沟道长度
纳米时代的新型CMOS器件
【摘 要】
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<正> 体硅CMOS技术已经发展了25年以上,成为VLSI的主流技术,通过不断缩小器件尺寸CMOS VLSI的集成度已增长了6个数量级,电路性能也不断提高。现在,0.1gm(100nm)以下的CMOS器
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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世界产品与技术
【发表日期】
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2001年6期
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