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针对双向可控硅（DDscR）在特征尺寸不断缩小的集成电路中，难以达到窄小静电放电（EsD）设计窗口的ESD防护需求，设计一种PMOS内嵌型浮栅DDSCR（GFDDSCR）ESD保护器件，并基于0．5mBipolar-CMOS-DMOS工艺进行制备．利用传输线脉冲测试研究不同关键尺寸的GFDDSCR的ESD特性及单位面积ESD防护能力，分析器件ESD特性随关键尺寸变化的规律，得到优化的GFDDSCR的结构参数．结果表明，与DDSCR的改进型结构（IBDSCR）相比，优化的GFDDSCR触发电压下降了27％，