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介绍了一种频率为1.8GHz的低噪声放大器(LNA)的设计方案,采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现,增益为25dB,噪声系数2.56dB,功耗≤10mW,IIP3为-25dB或5dBm。
1.8GHz 0.35mm CMOS低噪声放大器的实现
【摘 要】
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介绍了一种频率为1.8GHz的低噪声放大器(LNA)的设计方案,采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现,增益为25dB,噪声系数2.56dB,功耗≤10mW,IIP3为-25dB或5dBm。
【机 构】
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上海大学通信学院通信与信息工程系,上海大学通信学院通信与信息工程系 上海200072,上海200072
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2002年08期
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