论文部分内容阅读
介绍了用 ECR-MP-CVD 方法在室温条件下,淀积α-Si:H 膜的光学性能,其光能隙 Eg 随工艺条件改变而不同,Eg 值在1.72～1.92eV 之间。给出了微波功率对膜层光电导率(σ_(ph))和暗电导(σ_d)的影响,低功率下制备的样品具有高阻特性,高功率下制备的样品具有低阻特性,光敏性能都较好,σ_(ph)/σ_d 比值达4～6个数量级。