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在18GHz,AlGaAs/GaAs HBT已得到了显著的功率性能。共发射极HBT达到了48.5%的附加效率、6.2dB相关增益和0.17W的输出功率。共基极工作的HBT在18GHz下显示出更高的性能:功率水平0.358W(3.58W/mm),增益11.4dB,附加效率43%;降低功率水平到0.174W(1.74W/mm),则可得到15.3dB相关功率增益以及40%效率。该性能可与MISFET、HEMT和PBT的报道结果相媲美。