18GHz高增益高效率运用的AL GaAs／GaAsHBT

来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sxhainan

【摘要】

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在18GHz,AlGaAs/GaAs HBT已得到了显著的功率性能。共发射极HBT达到了48.5％的附加效率、6.2dB相关增益和0.17W的输出功率。共基极工作的HBT在18GHz下显示出更高的性能:功率水

【作者】

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Wang NL 刘秀兰

【出处】

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半导体情报

【发表日期】

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1991年2期

【关键词】

：

ALGAAS/GAAS HBT 晶体管异质结

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在18GHz,AlGaAs/GaAs HBT已得到了显著的功率性能。共发射极HBT达到了48.5％的附加效率、6.2dB相关增益和0.17W的输出功率。共基极工作的HBT在18GHz下显示出更高的性能:功率水平0.358W(3.58W/mm),增益11.4dB,附加效率43％;降低功率水平到0.174W(1.74W/mm),则可得到15.3dB相关功率增益以及40％效率。该性能可与MISFET、HEMT和PBT的报道结果相媲美。

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