0．18μm铜金属双重镶嵌工艺中空间成像套刻精度分析

来源 :电子工业专用设备 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wanchh520

【摘要】

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由于空间成像套刻(Overlay)技术的预算随集成电路(IC)设计规范的紧缩而吃紧,因此,Overlay测量技术准确度的重要意义也随之提高.通过对后开发(After Develop DI)阶段和后蚀刻(

【作者】

：

BerndSchulz HarryJ．Levinson Ro

【机构】

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AMDSaxony制造股份有限公司,AMD工艺研发集团,KLA-Tencor

【出处】

：

电子工业专用设备

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

空间成像套刻准确度校准 Overlay Accuracy Calibration

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由于空间成像套刻(Overlay)技术的预算随集成电路(IC)设计规范的紧缩而吃紧,因此,Overlay测量技术准确度的重要意义也随之提高.通过对后开发(After Develop DI)阶段和后蚀刻(After Etch FI)阶段的Overlay测量结果进行比较,研究了0.18 μm设计规范下的铜金属双重镶嵌工艺过程中的Overlay准确度.在确保对同一个晶圆进行后开发(DI)阶段和后蚀刻(FI)阶段测试的条件下,我们对成品晶圆的5个工艺层进行了比较.此外,还利用CD-SEM(线宽-扫描电子显微镜)测

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