【摘 要】
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业已开发了一种用激光直接描绘淀积W薄膜的技术。它是一种在电路制成之后,可以方便而又灵活地修正GaAsMMIC的方法。用一个微米级定位精度的聚焦氩离子激光束诱导的气相化学反
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业已开发了一种用激光直接描绘淀积W薄膜的技术。它是一种在电路制成之后,可以方便而又灵活地修正GaAsMMIC的方法。用一个微米级定位精度的聚焦氩离子激光束诱导的气相化学反应,在GaAs衬底上淀积电阻率为30μΩ·cm的W微带线。淀积的W微带线也很容易用激光烧蚀法去除。已用这种方法制备的W微带线成功地调配了一个8GHz GaAs MES FET放大器和一个30GHz单片衰减器。
A technique has been developed that uses laser direct delineation of deposited W films. It is a method that makes GaAsMMIC easy and flexible to fix after the circuit is made. A microstrip line with a resistivity of 30 μΩ · cm was deposited on a GaAs substrate using a gas-phase chemical reaction induced by a focused argon ion laser beam with a micron-level positioning accuracy. The deposited W microstrip line is also easily removed by laser ablation. The W microstrip line that has been fabricated in this way has successfully deployed an 8GHz GaAs MES FET amplifier and a 30GHz monolithic attenuator.
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